2025-08-25 05:08:59
ACM8815通過三大創(chuàng)新實現(xiàn)無散熱器設(shè)計:GaN材料低熱阻:芯片采用Flip-Chip封裝,GaN裸片直接焊接在PCB銅基板上,熱阻(RθJA)*10℃/W(傳統(tǒng)硅基D類功放熱阻>40℃/W)。在200W輸出時,芯片結(jié)溫升高*20℃(假設(shè)環(huán)境溫度25℃,PCB銅箔面積≥1000mm?)。動態(tài)功率分配:DSP引擎實時監(jiān)測輸入信號功率,當信號功率低于50W時,自動切換至“低功耗模式”,關(guān)閉部分H橋MOSFET以減少靜態(tài)損耗。熱仿真優(yōu)化:通過ANSYS Icepak軟件對芯片進行三維熱仿真,發(fā)現(xiàn)熱量主要集中于GaN裸片區(qū)域。優(yōu)化方案包括:在PCB對應(yīng)位置鋪設(shè)2oz銅箔,增加導(dǎo)熱孔密度(每平方毫米2個),以及在芯片下方使用導(dǎo)熱系數(shù)>3W/m·K的導(dǎo)熱膠。實測在25℃環(huán)境溫度下,200W連續(xù)輸出1小時后,芯片結(jié)溫穩(wěn)定在110℃(遠低于150℃結(jié)溫極限)。至盛12S數(shù)字功放芯片內(nèi)置自舉電路設(shè)計,省去外部升壓二極管,BOM成本降低15%。上??孔V的至盛ACM現(xiàn)貨
ACM8815采用全橋D類拓撲結(jié)構(gòu),通過四個GaN MOSFET組成H橋,實現(xiàn)單端輸入到差分輸出的轉(zhuǎn)換。與傳統(tǒng)半橋結(jié)構(gòu)相比,全橋拓撲可利用電源電壓的完整擺幅(如38V PVDD下輸出峰峰值76V),功率提升一倍。芯片內(nèi)部集成死區(qū)時間控制電路,將上下管開關(guān)重疊時間壓縮至5ns以內(nèi),避免直通短路風(fēng)險。其獨特的“自適應(yīng)柵極驅(qū)動”技術(shù)可根據(jù)負載阻抗(4Ω/8Ω)動態(tài)調(diào)整驅(qū)動電流,在4Ω負載下驅(qū)動電流達2A,確??焖匍_關(guān)響應(yīng);而在8Ω負載下自動降低至1A,減少開關(guān)損耗。這種動態(tài)優(yōu)化使ACM8815在4Ω和8Ω負載下效率均維持在92%以上,較傳統(tǒng)方案提升8個百分點。廣東附近哪里有至盛ACM現(xiàn)貨ACM8816在數(shù)字輸入設(shè)計增強抗干擾能力,適合長距離信號傳輸。
ACM8815的DRC算法采用“分段壓縮”策略,將輸入信號動態(tài)范圍劃分為多個區(qū)間,每個區(qū)間應(yīng)用不同的增益和壓縮比。具體實現(xiàn)步驟如下:輸入信號檢測:通過峰值檢測電路(時間常數(shù)1ms)實時監(jiān)測輸入信號幅度(Vin)。區(qū)間劃分:將動態(tài)范圍劃分為4個區(qū)間(示例):區(qū)間1:Vin<-20dB,增益=+10dB,壓縮比=1:1(線性放大)區(qū)間2:-20dB≤Vin<-10dB,增益=+5dB,壓縮比=2:1區(qū)間3:-10dB≤Vin<0dB,增益=0dB,壓縮比=4:1區(qū)間4:Vin≥0dB,增益=-∞dB(限幅)增益計算:根據(jù)Vin所在區(qū)間,通過查表法(LUT)獲取對應(yīng)增益值(G)。增益應(yīng)用:將輸入信號乘以G,得到輸出信號(Vout=Vin×G)。平滑過渡:為避免增益突變導(dǎo)致失真,在區(qū)間邊界處應(yīng)用10ms攻擊時間和100ms釋放時間的平滑濾波。實測在輸入信號峰值從-30dB跳變至0dB時,DRC算法在10ms內(nèi)將增益從+10dB降至-∞dB,輸出信號峰值被限制在0dB,THD+N*增加0.02%。
至盛 ACM 芯片采用了一系列獨特的音效增強技術(shù),為用戶帶來更加豐富、生動的聽覺體驗。其中,智能均衡器技術(shù)能夠根據(jù)不同音樂類型的特點,自動調(diào)整音頻的頻率響應(yīng)。例如,在播放古典音樂時,增強中高頻段的表現(xiàn)力,使樂器的音色更加明亮、細膩;而在播放搖滾音樂時,提升低頻段的力度,讓節(jié)奏更加震撼有力。此外,芯片還運用了虛擬環(huán)繞聲技術(shù),通過算法模擬出多聲道環(huán)繞聲效果,讓用戶即使在使用單聲道或雙聲道藍牙音響時,也能感受到身臨其境的音樂氛圍。獨特的人聲增強技術(shù)則能夠突出歌曲中的人聲部分,使歌手的演唱更加清晰、動人,這些音效增強技術(shù)的獨特組合,讓至盛 ACM 芯片在音質(zhì)提升方面獨具優(yōu)勢,為用戶打造出個性化、品質(zhì)高的音樂盛宴。專注高性能芯片研發(fā),至盛 ACM 芯片為功率器件領(lǐng)域帶來革新性的解決方案。
ACM3221DFR提供兩種封裝形式:9pin WLP(1.0mm x 1.0mm)以及0.3mm間距和8pin DFN(2.0mm x 2.0mm)。這種多樣化的封裝形式使得ACM3221DFR可以適應(yīng)不同的應(yīng)用場景和板卡設(shè)計需求。ACM3221DFR廣泛應(yīng)用于各種便攜式音頻設(shè)備中,如手機、手表、平板、便攜式音頻播放器、TWS/OWS耳機、VR/AR眼鏡等。其高效的音頻放大性能和低功耗特性使得這些設(shè)備能夠提供更好的音效體驗和更長的電池續(xù)航時間。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,音頻**IC的性能和功能也在不斷提升。未來,ACM3221DFR等高效、低功耗的音頻功率放大器將繼續(xù)在音頻設(shè)備中發(fā)揮重要作用,并推動音頻技術(shù)的不斷進步。同時,隨著智能家居、可穿戴設(shè)備等新興市場的快速發(fā)展,ACM3221DFR等音頻**IC的應(yīng)用領(lǐng)域也將進一步拓展。至盛 ACM 芯片在數(shù)?;旌想娐吩O(shè)計上獨具匠心,為模擬功放、耳放等產(chǎn)品注入強大性能。上海電子至盛ACM8625S
至盛12S數(shù)字功放芯片支持音頻包絡(luò)跟蹤技術(shù),使電源轉(zhuǎn)換效率提升18%,發(fā)熱量降低。上??孔V的至盛ACM現(xiàn)貨
芯片支持4.5V至15.5V寬電壓輸入,數(shù)字電源為3.3V**供電。采用Class-H動態(tài)升壓技術(shù),結(jié)合ACM5618 DC-DC升壓芯片,可將單節(jié)鋰電池升壓至12V供電,實現(xiàn)立體聲2×15W輸出。內(nèi)置電源電壓監(jiān)測電路,當輸入電壓低于4.5V時自動降低輸出功率,避免電池過放。待機功耗低于10mW,符合能效6級標準。ACM8623內(nèi)置多重保護機制:過流保護(OCP)通過采樣電阻實時監(jiān)測輸出電流,超過閾值時關(guān)閉功率級;過溫保護(OTP)在芯片溫度達150℃時啟動,溫度降至130℃后自動恢復(fù);短路保護(SCP)檢測輸出端短路時立即關(guān)斷輸出。欠壓鎖定(UVLO)確保供電電壓低于4.2V時停止工作,防止芯片損壞。上??孔V的至盛ACM現(xiàn)貨